MT53E512M32D2FW-046 AAT:D vs MT53E1G32D2FW-046 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E512M32D2FW-046 AAT:D 제조: Micron Technology 및 MT53E1G32D2FW-046 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D MT53E512M32D2FW-046 - 16Gb LPDDR4 SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E512M32D2FW-046 - 16Gb LPDDR4 SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E512M32D2FW-046 AAT:D ✓ 활성
Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron

MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron

MT53E1G32D2FW-046 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53E512M32D2FW-046 AAT:D MT53E1G32D2FW-046
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $13.75 $295.93
메모리 유형 SDRAM - Mobile LPDDR4/LPDDR4X Mobile LPDDR4X SDRAM
메모리 크기 16 Gbit 32 Gbit (4 GB)
메모리 구성 512M x 32 1G x 32 (dual-die, 2 x 16-bit channels)
인터페이스 Parallel Parallel
Clock Frequency 2133 MHz (2.133 GHz) 2133 MHz (2.133 GHz)
Cycle Time 3.5 ns —
Supply Voltage VDD 1.1 V —
Supply Voltage VDDQ (LPDDR4) 1.1 V —
Supply Voltage VDDQ (LPDDR4X) 0.6 V —
Core Voltage VDD2 1.8 V —
동작 온도 -40C to +105C (AAT:D grade) —
패키지 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm) 200-TFBGA (10 x 14.5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 (AUT:D variant verified; AAT:D automotive grade per Micron catalog) —
Memory Configuration Speed Grade -046 (2133) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
데이터 속도 — 4266 Mb/s per pin
Access Time — 3.5 ns
Write Cycle Time — 18 ns
VDDQ I/O Voltage — 0.6 V
Ball Diameter — 0.40 mm (SMD balls)
Operating Temperature (AUT variant) — -40C to +125C
Die Revisions — :A (FBGA D9ZQX) and :B (FBGA D8CJB)
특징 — Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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